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北京石竹科技发布最新SATA-E系列产品

北京石竹科技于2012年3月19日正式对外发布SATA电子盘最新系列产品SATA-E。该系列产品相对于之前的电子盘,具有更高的读写速度,最高可达260MB/s;更大的容量,最高可达512GB。SATA-E解决了一些客户对高读写带宽、大存储容量的高可靠性、高安全性的问题。

 

SATA-E是标准SATAⅡ接口,兼容SATAⅠ接口,具有三大核心技术:DuraWrite技术;安全擦除;掉电保护。

1.       DuraWrite技术

SATA-E系列电子盘独有的DuraWrite技术,通过特殊的数据缩量算法,将写入放大率降低50%。经测试得出,完整安装Windows 7和Office 2007需要写入25GB的数据,但通过DuraWrite技术,实际写入闪存的数据只有11GB,因此在进行读写操作时,可大幅提升传输速度,减小了闪存的实际磨损程度,间接延长了MLC的写入次数,几乎与SLC的写入次数相当。

2.       安全擦除

SATA-E系列电子盘具有三种安全擦除功能,分别是加密擦除、加密和物理块擦除、军级擦除,擦除程度依次加强。这三种级别的安全擦除均可彻底擦除盘中的数据,保证数据擦除后无法修复,有效防止数据泄漏,充分保证用户数据的安全性。

1)        加密擦除:主要擦除SSD的各类映射表,如坏块管理表、动态映射表、静态映射表、碎片回收表等,通过擦除NAND Flash的各类映射表,造成数据完全不可恢复,擦除时间< 4s。执行加密擦除后,映射数据完全丢失,盘可以继续使用。

2)        加密和物理块擦除:除进行加密擦除外,还对所有的NAND Flash Block执行Erase操作,保证所有NAND Flash存储单元值恢复为出厂状态,即0XFF,擦除速度约3GB/s。执行加密和物理块擦除后,映射数据及物理块数据完全丢失,盘可以继续使用。

3)        军级擦除:军级擦除由加密擦除、物理块擦除、NAND Flash存储单元OverWrite组成,加密擦除和物理块擦除同上,NAND Flash存储单元OverWrite是向NAND Flash的每一个Page写入特定的数据或随机的数据。执行军级擦除后,映射数据完全丢失,NAND Flash所有Block执行过Erase操作,NAND Flash所有Page执行了特定或随机数据写操作,盘可以继续使用。

3.       掉电保护

SATA-E系列电子盘具有掉电保护功能,在车载、舰载、机载等恶劣复杂应用环境中,容易出现电源不稳等问题,经常导致盘中的数据丢失、受损而无法打开文件,甚至设备因此而无法启动等问题。SATA-E电子盘内部的掉电保护电路,可以确保电子盘内数据是安全的、完整的,从而保证了您的设备正常启动及运行,详见“SATA-E电子盘掉电测试报告”。

SATA-E电子盘典型特点:

★性能参数:

容量

   MLC:32GB~512GB

SLC:32GB~256GB

接口

   SATA II,3Gbps

持续读速度

260MB/s

持续写速度

260MB/s

IOPS(Random Write)

30,000(@4K blocks)

IOPS(Random Read)

30,000(@4K blocks)

尺寸

   100.2mmx69.8mmx9.6mm

★安全可靠性:

ECC

每512字节扇区最高可纠错24字节

AES加密

128位AES加密

MTTR

<20分钟

MTBF

10,000,000小时

★环境参数:

工作温度

   -55℃~+85℃(军品级)

-40℃~+85℃(工业级)

0℃~+70℃(商业级)

存储温度

-55℃~+125℃

功耗

睡眠<0.09W;典型<0.9W

工作高度

>10000m

数据保存时间

10年

振动

0.04g2Hz(20Hz~2000Hz,随机,3轴)

冲击

30g

★兼容性:

接口

SATA II/3.0Gbps ; SATA I /1.5Gbps

操作系统

Windows XP/Windows 7/Linux/VxWorks

电源

+5V

相对于国内外其他电子盘,SATA-E电子盘具有高性能的持续读写带宽,实测速度约260MB/s,在安全擦除、掉电保护、AES数据加密等功能支持上更加全面,工作温度范围更宽,军品级工作温度-55℃~+85℃,尤其适合对数据安全性有特殊要求的行业应用。

相关文档:SATA-E电子盘掉电测试报告

相关文档:SATA-E电子盘安全擦除测试报告

相关产品:XMC/PMC物理自毁电子盘